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    新的工業級和符合車規的SiC MOSFET,補足了汽車成長的生態系統

    新的工業級和符合車規的SiC MOSFET,補足了汽車成長的生態系統

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    • 來源:
    • 發布時間:2019-07-03 11:29
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    【概要描述】2019年3月19日—?推動高能效創新的安森美半導體(ON),推出了兩款新的碳化硅(SiC)MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源。這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC生態系統,包括SiC二極

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    【概要描述】2019年3月19日—?推動高能效創新的安森美半導體(ON),推出了兩款新的碳化硅(SiC)MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源。這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC生態系統,包括SiC二極

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       2019319— 推動高能效創新的安森美半導體(ON),推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術的使能、廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務器電源。

    這標志著安森美半導體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態系統,包括SiC二極管SiC驅動器等互補器件,以及重要設計資源如器件仿真工具、SPICE模型和應用信息,以幫助設計和系統工程師應對高頻電路的開發挑戰。

    安森美半導體的1200伏(V)、80毫歐(mΩ)、SiC MOSFET是強固的,符合現代高頻設計的需求。它們結合高功率密度及高能效的工作優勢,由于器件的更小占位,可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。這些特性使需要的熱管理更少,進一步減少物料單(BoM)成本、尺寸和重量。

    新器件的關鍵特性和相關設計優勢包括領先同類的低漏電流、具低反向恢復電荷的快速本征二極管,從而大大降低功耗,支持更高頻率工作和更高功率密度,低導通損耗(Eon)及關斷損耗(Eoff) / 快速導通及關斷結合低正向電壓降低總功耗,因此減少散熱要求。低電容支持以很高頻率開關的能力,減少惱人的電磁干擾(EMI)問題;同時,更高浪涌、雪崩能力和強固的短路保護增強整體強固性,提高可靠性和延長總預期使用壽命。

     

    安森美半導體新的SiC MOSFET另一獨特的優勢是具有專利的終端結構,增加了可靠性和強固性,并增強了工作穩定性。NVHL080N120SC1設計用于承受高浪涌電流,并提供高的雪崩能力和強固的短路保護。符合AEC-Q101MOSFET及其它SiC器件,確??沙浞钟糜谝蛉赵龅碾娮雍亢碗妱觿恿偝啥d起的越來越多的車載應用。175℃的最高工作溫度適合汽車設計,以及高密度和空間限制推高典型環境溫度的其他目標應用。

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